Εμφάνιση απλής εγγραφής

Μελέτη και χαρακτηρισμός λεπτών υμενίων νανοδιαστάσεων, με ανάπτυξη θεωρητικών μοντέλων για την επεξήγηση ηλεκτρικών και οπτικών ιδιοτήτων

dc.contributor.advisorGanetsos, Theodore
dc.contributor.authorΠαρατζή, Θεοπίστη-Ιωάννα
dc.date.accessioned2021-09-15T07:57:24Z
dc.date.available2021-09-15T07:57:24Z
dc.date.issued2021-07
dc.identifier.urihttps://polynoe.lib.uniwa.gr/xmlui/handle/11400/1177
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.26265/polynoe-1028
dc.description.abstractΣτη παρούσα διπλωματική εργασία, γίνεται χρήση του οργάνου FR-Basic και FR-Monitor κατάλληλα σχεδιασμένα για τη μέτρηση του πάχους νανοϋλικών. Επικοινωνούν μεταξύ τους για να λάβουν επιτυχώς τη μέτρηση πάχους ενός δείγματος (wafer), το οποίο είναι χωρισμένο σε 4 περιοχές, το κάθε ένα με μία επιπλέον επίστρωση μιας χημικής ένωσης. Στην αρχή γίνεται ανάλυση των εργαλείων που χρησιμοποιούνται στις μετρήσεις του υλικού εξοπλισμού (FR-Basic) και του λογισμικού (FRMonitor) και στον τρόπο λειτουργίας τους. Έπειτα περιγράφονται τα επίπεδα του δείγματος, η χρήση του καθενός στη νανο ηλεκτρονική και ποιοί μέθοδοι θα χρησιμοποιηθούν κατά την μελέτη των μετρήσεων πάχους των δειγμάτων. Στη συνέχεια παρουσιάζονται τα αποτελέσματα μετρήσεων με σειρά: πρώτα ανάλογα τη περιοχή, ύστερα μόνο με τη μέθοδο της αντανάκλασης για το κάθε δείγμα προς ανάλυση και ταυτόχρονα παραδίδονται τα διαγράμματα κανονικής κατανομής (Gauss) για κάθε πακέτο μετρήσεων της ίδιας περιοχής, για να χαρακτηριστούν με καλύτερο τρόπο η αξιοπιστία των μετρήσεων και να μπορέσουν να συγκριθούν. Τέλος, κατασκευάζεται μία νέα καμπύλη με τη χρήση Kubelka Munk, κατάλληλη για την εύρεση της τιμής του band gap (ενεργειακού χάσματος) του κάθε δείγματος, όπου συγκρίνονται με τις τιμές των ενεργειακών χασμάτων.el
dc.format.extent60el
dc.language.isoelel
dc.publisherΠανεπιστήμιο Δυτικής Αττικήςel
dc.rightsΑναφορά Δημιουργού - Μη Εμπορική Χρήση - Παρόμοια Διανομή 4.0 Διεθνές*
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Διεθνές*
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Διεθνές*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.subjectNanotechnologyel
dc.subjectΝανοτεχνολογίαel
dc.subjectWaferel
dc.subjectNanoel
dc.subjectΝάνοel
dc.subjectΥμένιοel
dc.subjectΗλεκτρικές ιδιότητεςel
dc.subjectΟπτικές ιδιότητεςel
dc.subjectNano thin solid filmsel
dc.titleΜελέτη και χαρακτηρισμός λεπτών υμενίων νανοδιαστάσεων, με ανάπτυξη θεωρητικών μοντέλων για την επεξήγηση ηλεκτρικών και οπτικών ιδιοτήτωνel
dc.title.alternativeStudy and characterization of nano thin solid films using theoretical models in order to specify the electrical and optical propertiesel
dc.typeΔιπλωματική εργασίαel
dc.contributor.committeeDrosos, Christos
dc.contributor.committeeΠυρομάλης, Δημήτριος
dc.contributor.facultyΣχολή Μηχανικώνel
dc.contributor.departmentΤμήμα Μηχανικών Βιομηχανικής Σχεδίασης και Παραγωγήςel
dc.description.abstracttranslatedIn the present dissertation, the FR-Basic and FR-Monitor instruments suitable for measuring the thickness of nanomaterials are used. They communicate with each other, in order to successfully obtain the measurement thickness of a sample (wafer), which in this experimental device is divided into 4 regions, each of them with an additional coating of a chemical compound. At the beginning, will be provided the analysis of the tools to be used in the measurement of hardware (FR-Basic) and software (FR-Monitor) and their operation. Then, will be described the levels of the sample, the use of each in nano electronics and what methods will be used when studying the thickness measurements of the samples. They are presented below, the results of in the following order: firstly depending on the area, then only with the reflectance method for each sample to be analyzed and at the same time, the normal distribution diagrams (Gauss) are delivered for each package of measurements of the same area, in order to characterize in a better way the reliability of the measurements and to be able to compare. Finally, a new curve is constructed using Kubelka Munk, suitable for finding the value of the band gap (energy gap) of each sample, where they are compared with the values of the energy gaps.el


Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο

Thumbnail

Αυτό το τεκμήριο εμφανίζεται στις ακόλουθες συλλογές

Εμφάνιση απλής εγγραφής

Αναφορά Δημιουργού - Μη Εμπορική Χρήση - Παρόμοια Διανομή 4.0 Διεθνές
Εκτός από όπου επισημαίνεται κάτι διαφορετικό, το τεκμήριο διανέμεται με την ακόλουθη άδεια:
Αναφορά Δημιουργού - Μη Εμπορική Χρήση - Παρόμοια Διανομή 4.0 Διεθνές